AI 요약관련 정보

• DRAM 밀도 증가가 10년마다 100배를 기록했지만, 최근 10년 동안은 2배로 감소하며 성장을 느리게 하고 있습니다 😓.
• Loigic Semiconductors의 속도가 빠르게 향상되면서 DRAM의 von Neumann 아키텍처와의 데이터 바운드 문제가 발생하여 HBM이 등장했습니다 🧠.
• DRAM의 핵심 부품인 Sense Amplifier 의 경우, 커패시터의 크기가 작아짐에 따라 감지하는 신호가 약해지기 때문에 민감도를 높이기 위한 기술적 장벽이 존재합니다. 🙄
• DRAM의 커패시터는 쉬우면서도 공급하지 않는 전류 누출 문제가 발생하며, 커패시터 크기가 작아질수록 저장하는 전량이 줄어들고 있고, Sense Amplifier의 민감도 향상이 어려워집니다 🔌.