- AI 발전 속도에 비해 반도체 성능이 따라가지 못하는 메모리 워(Memory Wall) 현상 발생 🧠.
- HBM(High Bandwidth Memory)이 메모리 워 해결책으로 부상, SK하이닉스가 선도 🚀.
- HBM4는 더 빠른 속도와 더 많은 용량을 목표로 인터페이스를 2배로 확장, 16단 디램 칩 적층 ⬆️.
- 기존 마이크로 범프 방식(TC-NCF, MR-MUF)은 높이, 간격, 열, 신호 문제에 직면 🚧.
- 하이브리드 본딩 기술은 범프 없이 칩과 칩의 구리 배선을 직접 연결하여 이러한 문제 해결 🔗.
- 하이브리드 본딩은 연결 간격 축소, 칩 높이 감소, 열 저항 감소, 신호 지연 감소 효과 제공 🔥.
- 하이브리드 본딩 구현에는 고도의 전공정 기술과 환경 필요 (평탄도, 청정도, 정렬, 열 관리, 비용, 웨이퍼 핸들링) ⚙️.
- 삼성전자는 하이브리드 본딩 선제적 도입으로 기술 초격차를 노리지만, 수율 확보가 중요 🎯.
- SK하이닉스는 MR-MUF 업그레이드와 하이브리드 본딩 투트랙 전략으로 안정적인 양산과 프리미엄 고객 확보 목표 🏆.
- HBM4 시대는 기존 기술과 하이브리드 본딩 기술의 변곡점이며, HBM4E/5 시대에는 하이브리드 본딩이 필수가 될 전망 🔮.
- 미래 HBM 시장 패권은 하이브리드 본딩 기술 확보와 안정적인 수율 확보에 달려 있음 ⚔️.
Recommanded Videos
